RM新时代|官方理财平台

    • 石墨制品 服務(wù)熱線:13922516726 手機(jī):13922516726

      高質(zhì)量石墨烯的大規(guī)模生產(chǎn):世界專利的分析

      作者:http://fjdouyou.com 發(fā)布時(shí)間:2019-10-04 18:44:59

      高質(zhì)量石墨烯的大規(guī)模生產(chǎn):世界專利的分析

      石墨烯由于其獨(dú)特的優(yōu)異性能組合,無疑正成為最有前途的納米材料,這為其在廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的開發(fā)開辟了道路。



      然而,它必須克服一些障礙,我們才能實(shí)現(xiàn)其在實(shí)際應(yīng)用方面的全部潛力。



      石墨烯商業(yè)化目前面臨的最大挑戰(zhàn)之一是如何以低成本大規(guī)模生產(chǎn)高質(zhì)量的可再生材料。



      石墨烯的質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用,因?yàn)槭┍∑写嬖诘娜毕?、雜質(zhì)、晶界、多疇、結(jié)構(gòu)紊亂、褶皺等都會(huì)對(duì)其電子和光學(xué)性能產(chǎn)生不利影響。



      在電子應(yīng)用中,最大的瓶頸是對(duì)大尺寸樣品的要求,這只有在CVD工藝中才有可能,但很難生產(chǎn)出高質(zhì)量的單晶石墨烯薄膜,該薄膜具有很高的電導(dǎo)率和導(dǎo)熱系數(shù),同時(shí)具有良好的光學(xué)透明性。



      在常規(guī)方法合成石墨烯的過程中,另一個(gè)值得關(guān)注的問題是使用有毒化學(xué)物質(zhì),這些方法通常會(huì)產(chǎn)生有害廢物和有毒氣體。



      因此,有必要開發(fā)綠色方法,通過環(huán)保的方法生產(chǎn)石墨烯。



      石墨烯的制備方法還應(yīng)考慮石墨烯基器件的原位制備和集成,該器件具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu),能夠以較低的生產(chǎn)成本消除多步驟、費(fèi)力的制備方法。



      在工業(yè)規(guī)模上制造石墨烯的主要障礙是工藝的復(fù)雜性和相關(guān)的高成本,這導(dǎo)致了昂貴的產(chǎn)品。



      例如,目前graphene Square公司50x50單層石墨烯薄膜在銅箔和PET薄膜上的售價(jià)分別為263美元和819美元。



      XG Sciences生產(chǎn)的石墨烯納米片(5-8納米厚)售價(jià)約為219-229美元/千克。



      石墨烯的高成本是其廣泛應(yīng)用于商業(yè)應(yīng)用的主要障礙之一。



      盡管如此,預(yù)計(jì)石墨烯市場將在未來十年實(shí)現(xiàn)跨越式增長。



      根據(jù)BCC最新發(fā)布的《石墨烯:技術(shù)、應(yīng)用和市場》報(bào)告,全球石墨烯市場預(yù)計(jì)在2015年增長至6700萬美元,到2020年將達(dá)到675.1美元,5年內(nèi)復(fù)合年均增長率(CAGR)為58.7%。



      另一份由future markets, Inc.撰寫的題為《2017年世界石墨烯市場》的報(bào)告估計(jì),2010年石墨烯產(chǎn)量為28噸,預(yù)計(jì)到2017年將增長至573噸。



      在本文中,我們?cè)噲D對(duì)石墨烯合成的各種工藝的全球?qū)@M(jìn)行廣泛的調(diào)查和分析。



      本文在查閱文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上,初步總結(jié)了石墨烯合成的傳統(tǒng)方法的現(xiàn)狀。



      關(guān)于主題1-7有一些好的評(píng)論,感興趣的讀者可以參考它們以獲得更多的細(xì)節(jié)。



      本文重點(diǎn)介紹了高質(zhì)量石墨烯的規(guī)模化生產(chǎn)方法。



      目前最常用的石墨烯生產(chǎn)工藝如圖1所示,包括微觀機(jī)械切割、化學(xué)氣相沉積、SiC基體外延生長、氧化石墨烯脫落的化學(xué)還原、石墨液相脫落和碳納米管的開封。



      然而,根據(jù)圖1所示的目標(biāo)應(yīng)用程序,上述方法各有其優(yōu)點(diǎn)和局限性。



      為了克服石墨烯商業(yè)化的這些障礙,全球各個(gè)研發(fā)機(jī)構(gòu)、大學(xué)和公司的研究人員正在共同努力,通過簡單、環(huán)保的方法開發(fā)出大規(guī)模生產(chǎn)低成本、高質(zhì)量石墨烯的新方法。

      高質(zhì)量石墨烯的大規(guī)模生產(chǎn):世界專利的分析

      圖1:示出石墨烯合成常用的常規(guī)方法及其主要特征,以及目前和未來的應(yīng)用。(圖片:CKMNT)(



      專利分析



      從圖2的柱狀圖可以看出,全球的學(xué)術(shù)/研究機(jī)構(gòu)正在進(jìn)行大量的研究,并且擁有最多的專利(120項(xiàng)專利),約占全球?qū)@暾?qǐng)總量的50%。



      在主導(dǎo)實(shí)施專利活動(dòng)的受讓人中,第二類是獨(dú)立發(fā)明人(30項(xiàng)專利),其中萊特州立大學(xué)(Wright State University)的張伯日(Jang Bor Z)申請(qǐng)了25項(xiàng)專利。



      從圖2還可以看出,三星集團(tuán)擁有16項(xiàng)專利,居世界領(lǐng)先地位,其次是嘉德工業(yè)公司、日立公司、納諾泰克儀器公司、惠普發(fā)展有限公司等多家公司



      ,富士通有限公司,IBM公司等。

      高質(zhì)量石墨烯的大規(guī)模生產(chǎn):世界專利的分析

      圖2:石墨烯合成相關(guān)專利的讓與分割。(圖片:CKMNT)



      鑒于學(xué)術(shù)/研究機(jī)構(gòu)在石墨烯合成領(lǐng)域所作的重大知識(shí)產(chǎn)權(quán)貢獻(xiàn),有必要進(jìn)一步研究它們?cè)谶@一活動(dòng)中的作用。



      擁有的專利數(shù)量排名前十的學(xué)術(shù)/科研院所在圖3的條形圖,很明顯,首爾國立大學(xué)緊隨其后Sunngkyunkwan大學(xué)(SKKU),從韓國都是最活躍的受讓人與信貸7和5項(xiàng)專利,分別。



      其他積極受讓人分別是美國德克薩斯大學(xué)(5項(xiàng)專利)、萊斯大學(xué)(4項(xiàng)專利)和加州大學(xué)(4項(xiàng)專利)。



      這一類別的其他主要參與者是中國科學(xué)院-中國化學(xué)研究所、韓國科學(xué)技術(shù)高級(jí)研究所(KAIST)、韓國、美國能源部、韓國崇南國立大學(xué)和慶熙大學(xué)。



      值得注意的是,在前十名中,僅韓國就有六所大學(xué)。

      高質(zhì)量石墨烯的大規(guī)模生產(chǎn):世界專利的分析

      圖3:排名前10位的學(xué)術(shù)/科研院所與石墨素合成相關(guān)的專利數(shù)量。(圖片:CKMNT)



      石墨烯的合成方法



      針對(duì)石墨烯為商業(yè)和戰(zhàn)略應(yīng)用的巨大潛力,來自世界各地的科學(xué)家正在緊鑼密鼓地從事研究和開發(fā)的活動(dòng)來開發(fā)各種合成技術(shù),可以在大量的科學(xué)出版物和專利,近年來出現(xiàn)了。



      當(dāng)然,人們關(guān)注的焦點(diǎn)是低成本大規(guī)模生產(chǎn)高質(zhì)量石墨烯。



      目前,制備石墨烯的技術(shù)有很多。



      然而,我們可以將其大致分為兩大類,即自下而上(如CVD、SiC外延生長、電弧放電、化學(xué)合成等)和自上而下(如去角質(zhì)方法)工藝。



      石墨烯的合成按照專利申請(qǐng)、公布和授予的技術(shù)進(jìn)行了分類。



      基于這一分析(圖4),很明顯,實(shí)質(zhì)性的專利實(shí)施活動(dòng)是針對(duì)CVD(92項(xiàng)專利)和去角質(zhì)(94項(xiàng)專利)技術(shù)的發(fā)展。



      雖然在圖4的餅狀圖中沒有顯示,但可以看出,去角質(zhì)方法主要有1)石墨的機(jī)械去角質(zhì),2)石墨的液相去角質(zhì),3)氧化石墨的化學(xué)去角質(zhì)。



      其他主導(dǎo)技術(shù)有SiC基體外延生長(17項(xiàng)專利)、化學(xué)合成(7項(xiàng)專利)和碳納米管開封(6項(xiàng)專利)。



      上述方法都具有以可承受的成本大規(guī)模生產(chǎn)石墨烯的巨大潛力。



      該餅圖還展示了其他新興技術(shù),如離子注入、電化學(xué)沉積、電弧放電、自組裝、激光輻照等。

      高質(zhì)量石墨烯的大規(guī)模生產(chǎn):世界專利的分析

      4:石墨烯合成方法的分割。(圖片:CKMNT)



      對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行了分析,并以圖5所示的三維圖表形式展示了針對(duì)上述合成方法的每個(gè)頂級(jí)專利受讓人的數(shù)據(jù)。



      值得注意的是,三星集團(tuán)、IBM、日立公司等跨國公司大多采用CVD方式,開發(fā)基于高品質(zhì)大面積石墨烯薄膜的高端電子或光電產(chǎn)品。



      相比之下,創(chuàng)業(yè)公司如納米技術(shù)工具(Angstron材料),XG科學(xué)Vorbeck材料公司指導(dǎo)他們的努力開發(fā)加工路線剝落、化學(xué)合成、等的大規(guī)模生產(chǎn)石墨烯nanoplatelets用于低端產(chǎn)品,例如,填料對(duì)塑料、電池和超級(jí)電容器電極、導(dǎo)電油墨和涂料等。



      學(xué)術(shù)/研究機(jī)構(gòu)正致力于開發(fā)多種方法,如電化學(xué)去角質(zhì)、微波輔助合成、液相去角質(zhì)、化學(xué)合成、CVD等。



      在這一研究領(lǐng)域作出重大貢獻(xiàn)的一些關(guān)鍵參與者是首爾國立大學(xué)和韓國科學(xué)技術(shù)研究所(CVD)、蔚山大學(xué)、江南國立大學(xué)(去角質(zhì)技術(shù));



      中國科學(xué)院北京理工大學(xué)物理研究所(外延生長);



      國家納米材料和愛達(dá)荷大學(xué)(化學(xué)合成);



      斯坦福大學(xué)和萊斯大學(xué)(CNTs的解壓縮)等等。

      高質(zhì)量石墨烯的大規(guī)模生產(chǎn):世界專利的分析

      圖5:合成方法及受讓人相關(guān)專利的分割。(圖片:CKMNT)



      大規(guī)模生產(chǎn)高質(zhì)量石墨烯的創(chuàng)新方法



      正如我們前面所討論的,石墨烯因其在超強(qiáng)韌復(fù)合材料、觸摸屏、儲(chǔ)能、超高速晶體管等領(lǐng)域的無限潛力,為商業(yè)開發(fā)提供了無數(shù)的機(jī)會(huì)。



      然而,要實(shí)現(xiàn)其在現(xiàn)實(shí)應(yīng)用程序中的真正潛力,需要以可承受的成本大量生產(chǎn)它,并且必須根據(jù)每個(gè)應(yīng)用程序以適當(dāng)?shù)男问胶退璧馁|(zhì)量對(duì)其進(jìn)行裁剪。



      為了迎接這些挑戰(zhàn),世界科學(xué)界正在全力開發(fā)石墨烯生產(chǎn)的創(chuàng)新方法。



      下面介紹了石墨烯合成的一些新途徑以及活躍的參與者。



      用于電子和光電器件的化學(xué)氣相沉積(CVD)



      石墨烯是制造下一代微型化、輕量化、超高速、高頻電子和光電器件的理想材料。



      在這些應(yīng)用中,石墨烯的質(zhì)量至關(guān)重要,因此必須生產(chǎn)大面積的石墨烯單層或幾層具有最終純度、大疇尺寸和均勻厚度的薄膜。



      此外,材料應(yīng)該沒有任何缺陷,晶界,結(jié)構(gòu)混亂,和皺紋。



      CVD路線有潛力生產(chǎn)石墨烯薄膜,以滿足這些嚴(yán)格的要求。



      另一個(gè)要求是,一個(gè)人應(yīng)該能夠通過采用連續(xù)生產(chǎn)過程大規(guī)模生產(chǎn)它。



      石墨烯基電子器件用碳化硅外延石墨烯



      外延石墨烯具有優(yōu)異的電子性能,因此有潛力在下一代集成電路和超快(100 GHz到THz頻率)高性能電子設(shè)備中取代硅。



      EG是石墨烯基電子器件最有前途的候選者,因?yàn)樗梢灾苯由L在SiC半導(dǎo)體基板上,而不需要進(jìn)行任何轉(zhuǎn)移(不像CVD石墨烯在金屬基板上的轉(zhuǎn)移)。



      外延生長技術(shù)的優(yōu)勢在于其與當(dāng)今互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)的兼容性和可擴(kuò)展性,有助于實(shí)現(xiàn)開創(chuàng)石墨烯電子新時(shí)代的終極夢(mèng)想。



      剝離方法



      如前所述,石墨烯具有非常高的強(qiáng)度和剛度,以及優(yōu)異的電導(dǎo)率和導(dǎo)熱性能,因此在聚合物復(fù)合材料、導(dǎo)電涂料和油墨、燃料電池、電池用石墨烯、催化劑和超級(jí)電容器等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。



      這些應(yīng)用需要以合理的成本以納米薄片、納米顆粒或納米片的形式大量使用石墨烯;



      然而,在這種情況下,純度不是主要問題。



      因此,必須為其大規(guī)模生產(chǎn)開發(fā)經(jīng)濟(jì)可行的工藝。



      在不久的將來,納米石墨烯的預(yù)計(jì)成本約為11美元/kg8,如果這一目標(biāo)真的能夠?qū)崿F(xiàn),那么它甚至可以在復(fù)合材料、導(dǎo)電涂料和其他市場上與碳納米管競爭。



      去角質(zhì)技術(shù)具有大規(guī)模生產(chǎn)低成本納米烯的潛力。



      的一些主要發(fā)展是微波剝離技術(shù),夾層和剝離的石墨片借助氣體,機(jī)械剝離技術(shù)的大規(guī)模生產(chǎn)石墨烯nanoflakes控制球磨的石墨片在液體介質(zhì)或連續(xù)摩擦對(duì)旋轉(zhuǎn)固體石墨塊玻璃基板的溶劑,同時(shí)讓聲波降解法治療。



      這一領(lǐng)域的另一個(gè)重要發(fā)展是用于工業(yè)規(guī)模生產(chǎn)用于觸摸屏應(yīng)用的還原石墨烯氧化物基柔性透明導(dǎo)電薄膜的棒涂層(Meyer rod-coating)技術(shù)的出現(xiàn)。



      這種新策略遵循了一種解決方案處理方法,將棒狀涂層技術(shù)與新開發(fā)的室溫還原方法相結(jié)合,直接在PET和Si基材上制備大規(guī)模均勻的RGO薄膜。



      新工藝的一個(gè)吸引人的特點(diǎn)是它可能適合柔性電子設(shè)備的RGO薄膜的卷對(duì)卷制造。



      石墨烯的化學(xué)合成方法



      自底向上的化學(xué)合成路線具有以可承受的成本大規(guī)模生產(chǎn)石墨烯的潛力,并可能導(dǎo)致該領(lǐng)域的范式轉(zhuǎn)變。



      石墨烯化學(xué)合成方法相關(guān)專利已申報(bào),開發(fā)的一種簡單的溶解熱還原方法已經(jīng)成為低成本、輕便和大規(guī)模生產(chǎn)非石墨材料石墨烯的重大突破。



      這一發(fā)現(xiàn)為廉價(jià)石墨烯的大規(guī)模生產(chǎn)提供了動(dòng)力,因此具有為現(xiàn)實(shí)應(yīng)用提供商業(yè)化機(jī)會(huì)的潛力。



      一種改進(jìn)的溶解熱法,用于大規(guī)模生產(chǎn)高質(zhì)量的多層石墨烯。這一商業(yè)化可行的工藝代表了石墨烯溶解熱生產(chǎn)技術(shù)的一大進(jìn)步。



      這一進(jìn)程的顯著特點(diǎn)是:



      1. 這是一個(gè)更安全的過程,因?yàn)樗褂没瘜W(xué)非爆炸性的硼氫化鈉,而不是引起劇烈化學(xué)反應(yīng)的金屬鈉。



      2. 與Choucair等報(bào)道的方法不同,該工藝不需要高壓反應(yīng)器中反應(yīng)產(chǎn)物的任何熱解后,從而大大縮短了處理時(shí)間。



      3.與之前報(bào)道的方法不同,該技術(shù)在反應(yīng)過程中使用表面活性劑,以獲得更高的產(chǎn)率和均勻分散的石墨烯。



      另一個(gè)有吸引力的選擇是利用溫室污染物氣體和自然產(chǎn)生的可循環(huán)礦物在商業(yè)規(guī)模上生產(chǎn)高質(zhì)量的石墨烯。



      美國石墨烯技術(shù)公司(高溫物理有限責(zé)任公司)開發(fā)了一種類似的工藝。



      這種自底向上的工藝能夠生產(chǎn)出高質(zhì)量的、小于500nm的橫向尺寸的一層至幾層石墨烯納米薄片。



      這個(gè)過程最吸引人的特點(diǎn)是它利用低成本、可廣泛獲得的二氧化碳?xì)怏w(造成氣候變化的主要污染物)或其他含碳材料作為原料。



      它有效地利用了鎂和二氧化碳之間發(fā)生的高熱放熱反應(yīng),從而大大降低了石墨烯生產(chǎn)所需的能量。



      該工藝的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是,除了石墨烯,它還能產(chǎn)生新的材料,即MgO和鋁酸鎂尖晶石納米顆粒,以及這些納米材料與多層石墨烯之間的復(fù)合材料。



      該工藝的另一個(gè)重要方面是對(duì)反應(yīng)產(chǎn)物分離純化過程中所使用的重要原料Mg原料和HCl進(jìn)行回收利用。



      大規(guī)模低成本生產(chǎn)石墨烯納米薄片的電弧放電法



      在石墨烯合成的各種化學(xué)方法中,電弧放電自底向上法具有大規(guī)模生產(chǎn)少量層狀優(yōu)質(zhì)石墨烯納米薄片的巨大潛力(US20110114499A, CN101993060, CN102153076)。



      純石墨電極在各種氣體(包括H2、NH3、He、Ar、CO2及其混合物以及空氣)中的直流弧放電蒸發(fā)可以合成石墨烯。



      該工藝具有許多優(yōu)點(diǎn):合成的石墨烯純度高、結(jié)晶性好;具有較高的結(jié)晶度和抗氧化性;所得石墨烯薄片在有機(jī)溶劑中具有良好的分散性,非常適合柔性導(dǎo)電薄膜的溶液處理;電弧放電合成也可用于合成氮摻雜石墨烯(CN101717083A)。以氧化石墨烯為原料合成優(yōu)質(zhì)石墨烯片也是可行的,合成的石墨烯具有較好的導(dǎo)電性和高溫穩(wěn)定性。



      碳納米管解壓縮法制備高質(zhì)量石墨烯納米帶(GNRs)



      石墨烯因其極高的載流子(電子/空穴)遷移率和量子霍爾效應(yīng),被認(rèn)為是下一代電子器件,特別是超快場效應(yīng)晶體管(FETs),取代硅的最強(qiáng)候選者。



      然而,帶隙的缺乏限制了其在數(shù)字開關(guān)中的應(yīng)用,高開關(guān)電流比是數(shù)字開關(guān)的基本要求。



      幸運(yùn)的是,這種限制可以通過誘導(dǎo)量子限制和邊緣效應(yīng)來克服,比如窄寬度石墨烯納米帶(GNRs)。



      在制作fet的過程中,獲得寬度可控、邊緣光滑的GNRs是絕對(duì)必要的,CNTs方法的解壓縮使GNRs的大規(guī)模生產(chǎn)具備器件集成所需的高質(zhì)量和理想特性。



      高質(zhì)量石墨烯的環(huán)保合成方法



      正如我們之前在去角質(zhì)方法部分所看到的,在各種方法中,氧化石墨烯的化學(xué)還原(GO)似乎是最有希望的途徑,因?yàn)樗軌蛞缘统杀敬笠?guī)模生產(chǎn)功能化納米石墨烯。



      此外,通過化學(xué)功能化,石墨烯獨(dú)特的電學(xué)性能可用于廣泛的電子和光電子應(yīng)用。



      然而,用Hummer法或改良Hummer法合成氧化石墨烯需要使用強(qiáng)而危險(xiǎn)的氧化劑,如硫酸高錳酸鉀等。



      此外,還原后的石墨烯薄膜是通過使用劇毒且不穩(wěn)定的肼進(jìn)行化學(xué)處理而制備的,這需要非常小心。



      鑒于此,石墨烯和氧化石墨烯的綠色合成方法正在開發(fā)中。



      此外,最近的一篇綜述全面論述了從氧化石墨烯大規(guī)模生產(chǎn)石墨烯的環(huán)保方法的現(xiàn)狀。



      中國四川大學(xué)的研究人員以綠色環(huán)保的多酚/綠茶汁為還原劑,通過化學(xué)還原氧化石墨烯的方法合成了石墨烯(CN101875491A)。



      該工藝通過超聲波處理去除氧化石墨的角質(zhì),制備出的氧化石墨烯溶液在水中配伍性好、生物相容性好、穩(wěn)定性好。



      該方法簡單、經(jīng)濟(jì)、適用于石墨烯的大規(guī)模生產(chǎn)



      結(jié)束語



      石墨烯無疑是當(dāng)今納米技術(shù)領(lǐng)域的一顆閃亮的明星。



      其引人入勝的結(jié)合壯觀的性質(zhì)以及大量潛在的商業(yè)應(yīng)用吸引了全世界科學(xué)家和工程師的廣泛興趣。



      石墨烯的潛在應(yīng)用是巨大的,而且還在不斷增長。



      它可用于超輕型電纜(太空電梯?)



      衛(wèi)星和飛機(jī);



      智能手機(jī);



      超薄柔性顯示;



      透明的觸摸屏;



      世界上最快的晶體管、炸彈探測器等等。



      但盡管有這么多高談闊論,它還沒有在現(xiàn)實(shí)生活中得到應(yīng)用。



      為了充分發(fā)揮其在實(shí)際應(yīng)用中的潛力,必須解決最具挑戰(zhàn)性的問題;



      通過環(huán)保工藝大規(guī)模生產(chǎn)高質(zhì)量石墨烯具有經(jīng)濟(jì)可行性。



      幸運(yùn)的是,從前面的討論中可以明顯看出,這種情況很快就會(huì)改變,新的創(chuàng)新石墨烯合成路線將會(huì)出現(xiàn)。



      本文通過文獻(xiàn)和專利分析,對(duì)目前石墨烯的合成方法和新興方法進(jìn)行了綜述。



      它還概述了未來研究的可能方向,希望未來的工作將有助于解決這些問題,實(shí)現(xiàn)石墨烯商業(yè)化的夢(mèng)想



      參考文獻(xiàn)



      1. D. Jariwala, A. Srivastava and P. M. Ajayan, "Graphene Synthesis and Band Gap Opening", J. Nanoscience and Nanotechnology, 11 (2011) 6621–6641



      2. W.Xiangjian, Yi Huang and C.Yongsheng, “Focusing on Energy and Optoelectronic Applications: A Journey for Graphene and Graphene Oxide at Large Scale”, Accounts of Chemical Research, 45 (2012) 598-607



      3. R.M. Frazier et al., “Advances in Graphene-Related Technologies: Synthesis, Devices and Outlook”, Recent Patents on Nanotechnology, 6 (2012) 79-98



      4. C.Wonbong et al., “Synthesis of Graphene and Its Applications: A Review”, 35 (2010) 52-71.



      5. E. D. Grayfer et al., “Graphene: chemical approaches to the synthesis and modification”, 80 (2011) 751–770



      6. D.R. Dreyer, R.S. Ruoff and C.W. Bielawski, “From Conception to Realization: An Historial Account of Graphene and Some Perspectives for Its Future”, Angewandte Chemie International Edition, 49 (2010) 9336-9344.



      7. Y.Zhu et al., “Graphene and Graphene Oxide: Synthesis, Properties, and Applications”, Advanced Materials, 22 (2010) 3906–3924



      8. http://nextbigfuture.com/2011/04/commercialization-of-graphene.html



      9. J. Wang et al., “Rod Coating: Towards Large-Area Fabrication of Uniform Reduced Graphene Oxide Films for Flexible Touch Screens”, Advanced Materials, 24 (21) (2012) 2874-2878



      10. M. Liang et al., “High-Efficiency and Room-Temperature Reduction of Graphene Oxide: A Facile Green Approach towards Flexible Graphene Films”, Small, 8 (2012) 1180–1184



      11. http://unsw.technologypublisher.com/technology/2754



      12. D. K. Singh, P. K. Iyer and P. K. Giri, “Improved Chemical Synthesis of Graphene Using a Safer Solvothermal Route”, International Journal of Nanoscience, 10 (1) (2011) 1-4



      13. J. I. Paredes et al., “Environmentally friendly approaches toward the mass production of processable graphene from graphite oxide”, J. Mater. Chem., 21 (2011) 298-306.



      本文出自東莞市捷誠石墨制品有限公司官網(wǎng):http://fjdouyou.com 權(quán)威發(fā)布,    東莞市捷誠石墨制品有限公司是一家集銷售、應(yīng)用開發(fā),產(chǎn)品加工的石墨專業(yè)廠家,專門為模具行業(yè)、機(jī)械行業(yè)、真空熱處理爐、電子半導(dǎo)體及太陽能光伏產(chǎn)業(yè)等提供石墨材料、石墨電極和相關(guān)的石墨制品,歡迎致電13549365158更多關(guān)于石墨制品方面信息,可回本網(wǎng)站產(chǎn)品頁面詳細(xì)了解點(diǎn)擊:石墨制品  石墨模具  石墨坩堝 石墨轉(zhuǎn)子 石墨軸承 石墨板 石墨棒 石墨匣體 石墨熱場 真空爐石墨制品 電子石墨模具


      RM新时代|官方理财平台

        • rm新时代靠谱的平台 rm棋牌 rm新时代体育平台 RM新时代APP官网 新时代手机平台官网